【数据概览】图一、烽火MOF-NS/PVDF膜的制备示意图和结构©2022AmericanAssociationfortheAdvancementofScience图二、烽火MOF-NS/PVDF膜的高度柔性结构©2022AmericanAssociationfortheAdvancementofScience图三、PDMS改性MOF-NS/PVDF膜的滴定涂层方案、结构和表面特性©2022AmericanAssociationfortheAdvancementofScience图四、膜的渗透汽化性能和模拟传输通道以及形态对进料流动行为的影响©2022AmericanAssociationfortheAdvancementofScience文献链接：HighlyflexibleandsuperhydrophobicMOFnanosheetmembraneforultrafastalcohol-waterseparation.Science,2022,DOI:10.1126/science.abo5680.本文由CQR编译。

具体体现在以下几个方面：光缆国（1）可有效抑制由于凝固晶界与溶质偏析重合而导致的晶间腐蚀，光缆国（2）可避免或抑制在焊接和增材制造过程中，由于反复加热而造成的在晶界和显微偏析重合区热裂纹或液化裂纹的形成倾向。打卡电力该现象称之为凝固晶界迁移（SGBM）。

中电助力2.凝固晶界迁移的主要动力与阻力图2显示了在预热灰铸铁模具中凝固的Mg-0.63at.%Sn（3wt.%Sn）合金的典型晶粒组织。利用模型进行计算的难点之一在于对凝固晶界接近于固相线温度时晶界能的计算，赛普设其中晶界成分的确定是关键，文献中并无先列。产品持续澳方团队获得了澳大利亚研究委员会（ARC）DP180103205和ARC工业转型培训中心IC180100005（先进材料表面工程）提供的研究基金的支持。

认证金属凝固晶界（SGB）的形成源于两个不同取向相邻晶粒之间最后液膜的凝固（液膜厚度约为~1nm）。对大部分合金来讲（溶质分配系数k1），信息最后液膜也是溶质原子或杂质原子的富集区。

然而，化建实验观察发现，很多情况下，凝固后晶界的位置明显偏离最后液膜的位置，如示意图1b所示。

fMg-0.3at.%Zn，烽火没有明显的SGBM。本文的成果可以进一步扩展至面缺陷以及点却显得研究中，光缆国从而加深对材料科学的理解。

建立了弹性理论预测模型，打卡电力用于精准解释这些位错多结产生于二元结与滑动位错的相互作用。中电助力(f-k)显示了导致连接四个螺位错节点的形成及其快速滑出观察区的详细机制。

目前，赛普设国内外提出了许多模型来解释bcc金属中位错异常滑移的现象，赛普设例如典型的Seeger模型，但是这些模型对BCC金属异常滑移的确切起源仍然没有完全了解。©2022SpringerNature图3Nb中四位错节点形成的原子模拟©2022SpringerNature图4由两个1/2111螺旋位错的交叉形成[010]结©2022SpringerNature五、产品持续成果启示材料中一些微观缺陷在热力耦合下动态演变的研究往往非常困难。